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https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000633519| Clasificación : | 001-00347-S2-2008 |
| Sustentante: | Santiago Cruz, Félix |
| Asesor(es) : | Santana Rodríguez, Guillermo |
| Título : | Influencia de la razón R[SIH2CL2/NH3] en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD |
| Fecha de publicación : | 2008 |
| Páginas: | 1 recurso en línea (ii, 59 páginas) |
| Formato: | application/pdf |
| Medio: | computadora |
| Soporte: | recurso en línea |
| Grado : | Maestría en Ciencia e Ingeniería de Materiales |
| Escuela o Facultad : | Instituto de Investigaciones en Materiales |
| Institución : | Universidad Nacional Autónoma de México |
| Palabras clave : | Nanoestructuras Análisis Fotoluminiscencia Nitruro de silicio Razón |
| Area del conocimiento : | Ciencias Físico - Matemáticas y de las Ingenierías |
| URI : | https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000633519 |
| Fuente TESIUNAM: | https://tesiunam.dgb.unam.mx/F?current_base=TES01&func=direct&doc_number=000633519 |
| Aparece en las colecciones: | Tesis de maestría |
Texto completo:
| Archivo | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 000633519.mrc | Registro bibliográfico en formato MARC | 1.44 kB | MARC | Visualizar/Abrir |
| 0633519_A1.pdf | Texto Completo | 1.02 MB | Adobe PDF |  Visualizar/Abrir |
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