1. Repositorio de Tesis DGBSDI
  2. TESIUNAM
  3. Tesis de maestría
Use el DOI o este identificador para enlazar este recurso: https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000633519
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorSantana Rodríguez, Guillermo
dc.creatorSantiago Cruz, Félix
dc.date.created2008-10-06T00:00:00-
dc.date.issued2008
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000633519-
dc.format.extent1 recurso en línea (ii, 59 páginas)-
dc.format.mediumcomputadora
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.languagespa-
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.source.urihttps://tesiunam.dgb.unam.mx/F?current_base=TES01&func=direct&doc_number=000633519
dc.subjectNanoestructuras
dc.subjectAnálisis
dc.subjectFotoluminiscencia
dc.subjectNitruro de silicio
dc.subjectRazón
dc.subject.classificationCiencias Físico - Matemáticas y de las Ingenierías
dc.titleInfluencia de la razón R[SIH2CL2/NH3] en la intensidad y posición de los picos de fotoluminiscencia de películas de nitruro de silicio ricas en silicio obtenidas por PECVD
dc.typeTesis de maestría
dcterms.contributorSantana Rodríguez, Guillermo::si::SinIdentificador::role::asesorTesis
dcterms.creatorSantiago Cruz, Félix::si::SinIdentificador
dc.degree.nameMaestría en Ciencia e Ingeniería de Materiales
dc.degree.grantorUniversidad Nacional Autónoma de México
dc.identifier.urlhttp://132.248.9.195/ptd2008/octubre/0633519/Index.html
dc.format.supportrecurso en línea
dc.degree.departmentInstituto de Investigaciones en Materiales
dc.identifier.classification001-00347-S2-2008
dc.degree.levelMaestría
dc.rights.accessrightsAcceso en línea sin restricciones
dc.type.versionpublishedVersion
dc.publisher.locationMX
dc.date.modified2023-11-25T00:00:00-
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