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https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000802935| Sustentante: | Solorio Martínez, Jocelyn Pamela |
| Asesor(es) : | Castillo Cuero, Harvi |
| Título : | Estudio y crecimiento de la interface Si/SiO2 mediante oxidación térmica como propuesta de fabricación en un dispositivo pseudo-MOSFET |
| Fecha de publicación : | 2020 |
| Páginas: | 1 recurso en línea (52 páginas) : |
| Formato: | application/pdf |
| Medio: | computadora |
| Soporte: | recurso en línea |
| Grado : | Licenciatura en Nanotecnología |
| Escuela o Facultad : | Centro de Nanociencias y Nanotecnología |
| Institución : | Universidad Nacional Autónoma de México |
| Area del conocimiento : | Ciencias Físico - Matemáticas y de las Ingenierías |
| URI : | https://hdl.handle.net/20.500.14330/TES01000802935 |
| Fuente TESIUNAM: | http://132.248.9.195/ptd2020/agosto/0802935/Index.html |
| Aparece en las colecciones: | Tesis de licenciatura |
Texto completo:
| Archivo | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| 000802935.mrc | Registro bibliográfico en formato MARC | 1.34 kB | MARC | Visualizar/Abrir |
| 0802935.pdf | Texto Completo | 2.69 MB | Adobe PDF |  Visualizar/Abrir |
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